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삼성, 반도체 불황에도 "감산 없다" 차세대 기술로 '초격차' 자신

삼성 테크데이 개최해 로드맵 공개
2030년까지 1000단 V낸드 개발 목표

정진주 기자

기사입력 : 2022-10-06 11:36

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 이정배 메모리사업부장 사장이 발표를 하고 있다. 사진=삼성전자이미지 확대보기
5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 이정배 메모리사업부장 사장이 발표를 하고 있다. 사진=삼성전자
"현재 감산 논의는 하고 있지 않다"


한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 반도체 혹한기에도 자신감을 드러냈다, 삼성전자는 5세대 10나노급 D램 양산 계획발표와 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다는 목표 제시를 통해 초격차 전략을 내세웠다.

삼성전자가 5일(현지시각) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이 2022(Samsung Tech Day 2022)'를 개최하고, 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다"라며, "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것"이라고 밝혔다.

2017년 시작된 '삼성 테크 데이'는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

삼성전자는 이날 오전, 시스템반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다고 밝혔다.

삼성전자는 SoC(System on Chip), 이미지센서, 모뎀, DDI(Display Driver IC), 전력 반도체(PMIC, Power Management IC), 보안솔루션 등을 아우르는 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있으며, 제품기술을 융합한 '플랫폼 솔루션(Platform Solution)'으로 고객 니즈에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나갈 계획이다.


삼성전자는 4차 산업혁명 시대에는 초지능화(Hyper-Intelligence), 초연결성(Hyper-Connectivity), 초데이터(Hyper-Data)가 요구된다고 전망하고, 이를 위해 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다고 밝혔다.

SoC에서는 NPU(Neural Processing Unit), 모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 향상시키는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 CPU, GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력 강화할 계획이다.

또, 사람의 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고, 사람의 오감(미각, 후각, 청각, 시각, 촉각)을 감지하고 구현할 수 있는 센서도 개발할 예정이다.

삼성전자는 이번 행사에서 부스 전시를 통해 첨단 시스템 반도체 제품을 선보였다.

차세대 차량용 SoC '엑시노스 오토(Exynos Auto) V920', 5G 모뎀 '엑시노스 모뎀 5300', QD(Quantum Dot) OLED용 DDI 등 신제품들과 프리미엄 모바일AP '엑시노스 2200', 업계 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 '아이소셀(ISOCELL) HP3', '생체인증카드'용 지문인증IC 제품 등도 공개됐다.

오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 '5세대 10나노급(1b) D램', '8세대·9세대 V낸드'를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개하고, 차별화된 솔루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나가겠다고 밝혔다.

삼성전자는 데이터 인텔리전스(Data Intelligence)를 발전시킬 미래 D램 솔루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술을 공개했다.

삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술의 성장을 위해 글로벌 IT 기업들과 협력해 나가겠다고 밝혔다.

또한, 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 할 예정이다.

삼성전자는 2023년 '5세대 10나노급 D램'을 양산하는 한편, 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이다.

삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1,000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이다.

또, 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

삼성전자는 2015년 차량용 메모리 시장에 첫 진입한 이후, 빠른 성장세를 이어가고 있다. 자율 주행(AD), 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성할 계획이다.


정진주 글로벌이코노믹 기자 pearl99@g-enews.com

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